Новые продукты и решения Infineon, март 2020

Новые продукты и решения Infineon  за март 2020-го года

  • 25А и 30А Buck регуляторы с синхронным выпрямителем IR3889MTRPBF и IR3888MTRPBF
  • 1200В SiC MOSFET в D2PAK для индустриального применения
  • Одноканальный драйвер затвор нижнего уровня с интегрированной защитой по току EiceDRIVER™ 1ED44175N01B
  • 600В MOSFET IPP60R360CFD7 серии CFD7 с быстрым паразитным диодом
  • Линейка 600В MOSFET серии S7 для низкочастотных применений с низким сопротивлением канала (в ближайшем будущем планируется транзистор с сопротивлением 10мОм)
  • DC/DC Bust контроллер TLD5099EP для LED освещение (автомобильная сертификация)
  • Отладочная плата на базе микроконтроллера XMC4200

Файл с подробной документацией (pdf)

 

25А и 30А Buck регуляторы с синхронным выпрямителем IR3889MTRPBF и IR3888MTRPBF

IR388X OptiMOSTM IPOL — это простой в использовании, полностью интегрированный регулятор напряжения постоянного тока. Встроенный ШИМ-контроллер и МОП-транзисторы OptiMOS ™ со встроенным диодом делают IR3888 компактным решением, обеспечивающим высокую эффективность подачи энергии. Кроме того, он использует схему управления с быстрым Constant-On-Time (COT), которая упрощает разработку и обеспечивает быстродействие.
 

CoolSIC диод Шоттки 5-го поколения 1200 Вольт в двух выводном корпусе D2Pack
Тенденции в электронике требуют повыщения эффективности при использовании устройств в малых корпусах. Диоды Шоттки изготовленные по технологии CoolSiC пятого поколнея с обратным напряжением до 1200 вольт теперь доступны в двух выводных корпусах D2Pack с номинальным током от 2 до 20 ампер. Помимо низких потерь при переключении особенность этих диодов является лучшее в своем классе падение напряжения при прямом включении, а также малое увеличение падение напряжения при изменении температуры и при  высочайшем импульсном токе.
 

Одноканальный драйвер затвор нижнего уровня с интегрированной защитой по току EiceDRIVER™ 1ED44175N01B 
Infineon Technologies расширяет линейку одноканальных драйверов затвора нижнего уровня с помощью 1ED44175N01B — драйвера на 25 В со встроенной защитой от перегрузки по току (OCP) и оповещением о неисправностях.
OCP обычно реализуется с использованием схемы измерения тока с компаратором LM293 и сетью резисторов и конденсаторов. 1ED44175N01B может обеспечить снижение затрат на 20% и сэкономить до 50 % пространства, за счет интегрированного OCP, который имеет точный допуск измерения тока ± 5%. Кроме того, 1ED44175N01B выдает данные о сбоях на вывод включения отключения при управлении от микроконтроллера и функции включения драйвера на одном и том же выводе. Этот вывод имеющий вдойной функционал помогает микросхеме вписаться в крошечный 6 выводный корпус  PG-SOT23.

 

600В MOSFET IPP60R360CFD7 серии CFD7 с быстрым паразитным диодом
MOSFET IPP60R360CFD7 Infineon CoolMOS ™ CFD7 с напряжением 600 В идеально подходит для резонансных топологий в мощных SMPS, таких как в таких как сервера, телекомуникационное оборудование и зарядные станции для автомоболей, где он позволяет значительно повысить эффективность.
Как преемник семейства MOSFET с высоковольтным питанием CFD2 SJ, он обладает уменьшенным зарядом затвора, улучшенным режимом отключения и сниженным зарядом обратного восстановления до 69 процентов по сравнению с конкурентами.

 

 

Линейка 600В MOSFET серии S7 для низкочастотных применений с низким сопротивлением канала (в ближайшем будущем планируется транзистор с сопротивлением 10 мОм)
С презентацией семейства MOSFET CoolMOS ™ S7 SJ 600 В, уникальной интеграцией чипа 22 мОм в инновационный корпус SMD, Infineon не только устанавливает новый эталон плотности мощности, но и ориентируется на новые рынки. S7 обеспечивает прорыв в разработке твердотельных реле и интеллектуальных автоматических выключателей. Он предлагает беспрецедентно низкое сопротивление ооткрытого канала умнозенное на хорошую ценовую политику. Более того, твердотельное реле будет намного меньше, чем электромеханические аналоги, что приведет к снижению размера более чем на 95%.
 

 
DC/DC Bust контроллер TLD5099EP для LED освещение (автомобильная сертификация)
TLD5099EP является новинкой в хорошо зарекомендовавшем себя семействе LITIX Power. Это светодиодный буст-контроллер со встроенными функциями защиты. Концепция контроллера TLD5099EP позволяет использовать несколько конфигураций, таких как Boost, Buck, Buck-Boost, SEPIC и FlayBack, просто добавляя внешние компоненты. Благодаря этому TLD5099EP является довольно простым в использовании и гибким устройством, которое поставляется без SPI, но все же с довольно мощным набором функций. Основным отличием от других членов семейства TLD5097EP и TLD5098EP являются встроенный Spread Spectrum и встроенный PWM-механизм.
TLD5099EP является идеальным выбором, когда необходим повышающий DC/DC преобразователь, как диагностика, а также расширенные функциональные возможности диммирования, такие как аналоговое и цифровое диммирование, и в тех случаях, когда необходима концепция усиления постоянного / постоянного тока, как для дневных ходовых огней так и комбинированных ламп ближнего/дальнего света.

Отладочная плата на базе микроконтроллера XMC4200
Комплект Platform2GO XTREME XMC4200 kit — в этом комплекте есть устройство XMC4200 с отладчиком - эта плата в формфакторе Shields 2G включает в себя микроконтроллер с отладчиком, а также возхможность подключения к CAN, ARDUINO, Micro Bus. 
Этот набор оснащен микроконтроллером XMC ™ на основе ARM® Cortex®-M4 от Infineon Technologies AG, предназначена для оценки возможностей микроконтроллера Infineon XMC4200. Его можно использовать с широким спектром инструментов разработки, в том числе с бесплатной интегрированной средой разработки Eclipse на базе IDE DAVE.

 

Еще новинки:

1. Запущено серийное производство 650В SiC MOSFET.

Документ с подробным разбором технических преимуществ 650В SiC MOSFET по сравнению с SiC M1.

Отладочная плата, которая представляет из себя 3300Вт Корректор Коэффициента Мощности по топологии Totem Pole (эффективность свыше 99%).

2. 25В MOSFET для индустриального применения в новом корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down.

Сравнение традиционной концепции “Drain Down” с новым решением “Source Down” для низковольтных MOSFET.