Компанія Mitsubishi Electric розпочала виробництво дискретних SiC-діодів та транзисторів у корпусах TO-247.

 

      

   Японська компанія Mitsubishi Electric заснована в 1921 році і є одним з безперечних лідерів світового ринку напівпровідників. По суті, на цьому ринку є дві компанії - Mitsubishi Electric та Infineon, і є решта, причому позаду (іноді далеко). Перші напівпровідникові пристрої почали серійно випускатися компанією в 1958 році. В даний час силові модулі Mitsubishi Electric виробляються за допомогою найсучасніших технологій, що забезпечують найвищий рівень продуктивності, якості та надійності.
   На ринку компанія Mitsubishi Electric пропонує широкий асортимент силових транзисторних модулів для різних застосувань, таких як високовольтні системи передачі електроенергії (HVDC), тягові залізничні застосування, загальнопромислові застосування, побутова техніка.

 

Якщо говорити про основні лінійки силових модулів, що випускаються компанією, то вони наступні:

  • високовольтні IGBT модулі транспортного виконання (серія X, R, S);
  • модулі IGBT загальнопромислового виконання (серія T, T1);
  • інтелектуальні силові модулі IPM (серія G, G1);
  • інтелектуальні силові модулі малої потужності DIPIPM;
  • транзисторні модулі на основі карбіду кремнію (SiC).

     Сьогодні силові модулі на основі карбід-кремнію все інтенсивніше освоюються на ринку силової електроніки. Однак сфера застосування таких модулів все ще сильно звужена і гальмується однією їх особливістю - високою вартістю. Тому актуальною альтернативою модульним збіркам стають дискретні SiC-транзистори, що поєднують у собі відносно низьку вартість і високу продуктивність на великих частотах. Ці транзистори вже використовуються багатьма виробниками силової електроніки в таких застосуваннях, як джерела живлення, DC/DC-перетворювачі та інших виробах.
     Виходячи з реалій ринку та маючи 15-річний досвід виробництва карбід-кремнієвих транзисторів, компанія Mitsubishi Electric, на додаток до існуючих модульних рішень, запустила виробництво дискретних SiC-транзисторів та діодів у корпусах типу TO-247.

Діоди Шоттки на основі SiC.
Використання діодів на основі карбіду кремнію здатне суттєво знизити втрати в інверторі. У загальному випадку зниження втрат становить до 21% (у деяких застосуваннях і більше). Крім того, підвищення частоти ШІМ дозволяє мінімізувати розмір периферійних компонентів. На рис. 1 показана лінійка доступних діодів у трьох типах корпусів. Розширений асортимент SiC-діодів «Міцубісі Електрик» задовольняє попит різних застосувань, включаючи автомобільні/електромобільні (сертифікація AEC-Q101).

MOSFET-транзистори в трививідних корпусах.
У Таблиці 1. показана лінійка доступних SiC MOSFET-транзисторів N-серії в трививідних корпусах із зазначенням основних параметрів, таких як RDS(on) та IDmax. Розроблена «Міцубісі Електрик» особлива технологія легування JFET-області в каналі MOSFET знижує як комутаційні втрати, так і прямий опір, досягаючи показника добротності, що веде в галузі показника добротності 1450 мОм·нКл. З використанням SiC MOSFET-транзисторів підсумкові втрати у перетворювачі знижуються приблизно 85% проти звичайними SiC-IGBT. Також за рахунок зменшення ємності Міллера (збільшення показника Ciss/Crss) стійкість до паразитного включення підвищується у 14 разів порівняно із порівнянними продуктами.

ТАБЛИЦЯ 1. ЛІНІЙКА ДОСТУПНИХ MOSFET-ТРАНЗИСТОРІВ У КОРПУСАХ TO-247-3.

MOSFET-транзистори у чотирививідних корпусах.
У таблиці 2 показана лінійка доступних SiC MOSFET-транзисторів N-серії у чотирививідних корпусах із зазначенням основних параметрів, таких як RDS(on) та IDmax. Крім нової технології легування, згаданої вище, чотирививідні корпуси дозволяють знизити паразитну індуктивність, що є проблемою при великих швидкостях комутації. Усунення падіння напруги затвор-витік за рахунок допоміжного виведення витоку дозволяє знизити втрати при перемиканні приблизно на 30% порівняно з продуктами корпусах TO-247-3.

ТАБЛИЦЯ 2. ЛІНІЙКА ДОСТУПНИХ MOSFET-ТРАНЗИСТОРІВ У КОРПУСАХ TO-247-4.

Отже, зараз продуктова лінійка SiC-приладів Mitsubishi Electric поповнилася трьома новими типами пристроїв у корпусах TO-247: діоди, трививідні MOSFET-транзистори, а також чотирививідні MOSFET-транзистори. Для всіх трьох типів приладів доступні виконання із сертифікатом відповідності AEC-Q101, необхідним для використання в автомобільній промисловості.

Компанія "Сімметрон-ЕК" є офіційним, уповноваженим дистриб'ютором продукції компанії Mitsubishi Electric на території України.