Корпорація Mitsubishi Electric оголосила, що з 1 серпня почнуться відвантаження замовникам нового кремнієвого радіочастотного MOSFET-модуля на металооксидному напівпровіднику потужністю 50 Вт для використання у високочастотних підсилювачах потужності двосторонніх радіостанцій. Очікується, що цей модуль високої потужності, який пропонується з провідною в галузі вихідною потужністю 50 Вт у діапазоні від 763 МГц до 870 МГц та високим загальним ККД 40% допоможе розширити дальність комерційного, промислового та спеціального радіозв'язку та зменшить споживання енергії.
Частотні діапазони 150 МГц та 400 МГц, що використовуються для різноманітних бездротових систем, останнім часом стали перевантаженими на багатьох ринках, що активно розвиваються, тому у відповідь, діапазон 700 МГц, який раніше використовувався для аналогового телевізійного мовлення, у багатьох країнах був перерозподілений для комерційного двостороннього радіозв'язку, що збільшило попит на радіостанції, що підтримують цей діапазон.
Однак звичайні РЯ-підсилювачі мають великі втрати потужності, тому існує потреба в радіочастотних MOSFET-модулях високої потужності, що пропонують вбудовану схему узгодження вхідного/вихідного імпедансу та гарантовану вихідну потужність. Новий кремнієвий радіочастотний MOSFET-модуль високої потужності (RA50H7687M1) досягає неперевершеної вихідної потужності та високої загальної ефективності для всіх радіостанцій, сумісних з діапазоном 700 МГц. Також розширилась дальність зв'язку та знизилось енергоспоживання в радіостанціях цього діапазону.
Згідно з дослідженням Mitsubishi Electric MOSFET-модуль високої потужності RA50H7687M1, що працює в діапазоні частот від 763 МГц до 870 МГц з вхідною потужністю 50 мВт пригнічує втрати та передає сигнали шляхом узгодження вихідного та вхідного імпедансів з ККД більше 40%.
Характеристики продукту:
Провідна в галузі вихідна потужність 50 Вт для розширеного діапазону радіозв'язку
- Як опір увімкнення, так і ємність стік-витік зменшені завдяки мініатюризації;
- Низький опір увімкнення для покращеної щільності потужності досягає неперевершеної вихідної потужності 50 Вт для двостороннього радіозв'язку;
- Збільшена вихідна потужність розширює діапазон зв'язку на 6% порівняно з існуючими моделями.
Провідна в галузі загальна ефективність для зниження енергоспоживання та менших розмірів
- Зменшена ємність стік-витік та оптимізована схема узгодження вхідного/вихідного імпедансу досягають провідної в галузі загальної ефективності (ККД) більше 40% для комерційного двостороннього радіозв'язку;
- Підвищена загальна ефективність зменшує виділення тепла MOSFET, що призводить до економії енергії та зменшення розмірів.
Вбудована схема узгодження імпедансу
- Вбудована схема узгодження входу/виходу спрощує зовнішню схему та зменшує навантаження на радіосхему;
- Той самий зовнішній профіль, що й у вже існуючих продуктів, спрощує впровадження нового модуля в діючі вже розроблені радіосхеми.
Майбутні розробки
- Mitsubishi Electric планує розширити діапазон частот своєї новї лінійки, незабаром випустивши модуль 900 МГц, оснащений нещодавно розробленим MOSFET.
Шановні партнери!
З радістю повідомляємо вам про те, що співпраця з нашим давнім ключовим партнером - компанією Mitsubishi Electric триває! Японська компанія підтвердила на найближчі роки компанії "Сімметрон-Україна" статуc офіційного уповноваженого дистриб'ютора на території України. Інформація про це розміщена на офіційному сайті японського виробника.
Зі свого боку, колектив та співробітники компанії "Сімметрон-Україна" будуть й надалі тримати високу планку стандартів роботи, щоб гідно представляти партнерам та обслуговувати продукцію цього визначного світового бренду на території України.
З більш детальною інформацією про продукцію компанії Mitsubishi Electric можна ознайомитись у спеціалізованому розділі.
Каталог продукції напрямку Power Semiconductors розміщено тут;
Каталог продукції напрямку Optical Devices розміщено тут;
Каталог продукції напрямку High Frequency Device розміщено тут;
Каталог продукції напрямку Silicon RF Devices розміщено тут.
