Корпорація Mitsubishi Electric оголосила, що починаючи з 15 лютого, починає відвантаження передзамовленнь та надаватиме зразки свого нового IGBT-модуля LV100 на 1,2 кВ - нового силового напівпровідникового модуля промислового використання для систем електропостачання. Цей IGBT-модуль оснащений біполярним транзистором з ізольованим затвором нового, 8-го покоління й мінімізує втрати потужності та максимізує вихідну потужність інверторів та інших компонентів енергосистем, таких як фотоелектричні системи генерації електроенергії, акумуляторні батареї, інвертори, тощо.
З моменту початку виробництва у 1990 році силові напівпровідникові модулі від Mitsubishi Electric на основі IGBT отримали на ринку високу оцінку за чудову продуктивність і високу надійність, їх широко застосовують у споживчому, автомобільному, промисловому та залізничному секторах. Зараз компанія розробила IGBT-модулі наступного, 8-го покоління з новою, оригінальною структурою розділеного фіктивно-активного (SDA) і керуючого несучого плазмового шару (CPL). Зазначимо, що ця розробка не має аналогів серед конкурентів й є, по-своєму, революційною на ринку напівпровідників.
У порівнянні з існуючими продуктами в лінійці 7-го покоління, новий IGBT-модуль LV100 на 1,2 кВ 8-го покоління зменшує втрати потужності приблизно на 15% в інверторах, що використовуються в сонячних системах генерації електроенергії, акумуляторних батареях, павербанках надвеликої потужності. Крім того, номінальний струм 1800 А, що в 1,5 рази вище, ніж у існуючих продуктів 7-го покоління, досягається шляхом оптимізації компонування IGBT і діодних мікросхем, що, як очікується, також збільшить вихідну потужність інверторів, в яких вони будуть застосовуватись. Крім того, стандартний пакет модуля легко з’єднати паралельно, що дозволяє вмістити інверторні конфігурації, які охоплюють широкий діапазон ємностей.
Компанія "Сіметрон-Україна" є офіційним уповноваженим дистриб'ютором компанії Mitsubishi Electric на території України.