Гибридные модули на основе карбида кремния, CoolSiC Infineon

      

Карбид-кремниевые (SiC) диоды и транзисторы являются ключевыми компонентами современных инновационных решений в области силовой электроники, направленных на достижение максимальной плотности мощности и эффективности. Эти цели могут быть достигнуты путем использования их в качестве отдельных компонентов или в сочетании с другими устройствами в силовых модулях. В частности, диоды SiC позволяют  расширить возможности технологии IGBT.

Параметрический поиск и даташиты на сайте производителя

Наименование Класс напряжения Конфигурация Ток Корпус Особенности Длина Ширина
DF160R12W2H3F_B11 1200 V Booster 160 A EasyPACK™ 2B PressFIT

SiC Schottky diode
56.7 mm 48 mm
DF100R07W1H5FP_B54 650 V Booster 100 A EasyPACK™ 1B PressFIT

SiC Schottky diode

TIM
48 mm 33.8 mm
F4-75R07W2H3_B51 650 V Fourpack 75 A EasyPACK™ 2B PressFIT

SiC Schottky diode
56.7 mm 48 mm
FS3L30R07W2H3F_B11 650 V 3-level 30 A EasyPACK™ 2B PressFIT

SiC Schottky diode

Full-bridge
56.7 mm 48 mm
DF80R12W2H3F_B11 1200 V Booster 80 A EasyPACK™ 2B PressFIT

SiC Schottky diode
56.7 mm 48 mm
F4-3L50R07W2H3F_B11 650 V Fourpack 50 A EasyPACK™ 2B   56.7 mm 48 mm
FS3L50R07W2H3F_B11 650 V 3-level 50 A EasyPACK™ 2B PressFIT

SiC Schottky diode

Full-bridge
56.7 mm 48 mm
DF80R07W1H5FP_B11 650 V Booster 100 A EasyPACK™ 1B SiC Schottky diode

PressFIT

TIM
48 mm 33.8 mm
DF200R12W1H3F_B11 1200 V Booster 200 A EasyPACK™ 1B PressFIT

SiC Schottky diode
48 mm 33.8 mm
DF75R12W1H4F_B11 1200 V Booster 75 A EasyPACK™ 1B PressFIT

SiC Schottky diode
48 mm 33.8 mm