Гібридні модулі на основі карбіду кремнія CoolSiC від Infineon

Карбід-кремнієві (SiC) діоди та транзистори є ключовими компонентами сучасних інноваційних рішень у галузі силової електроніки, спрямованих на досягнення максимальної щільності потужності та ефективності. Ці цілі можуть бути досягнуті шляхом використання їх в якості окремих компонентів або в поєднанні з іншими пристроями в силових модулях. Зокрема, діоди SiC дозволяють розширити можливості технології IGBT.

Параметричний пошук та DataShits на сайті Infineon.

Назва	Клас напруги	Конфігурація	Струм	Корпус	Особливості	Довжина	Ширина
DF160R12W2H3F_B11	1200 V	Booster	160 A	EasyPACK™ 2B	PressFIT SiC Schottky diode	56.7 mm	48 mm
DF100R07W1H5FP_B54	650 V	Booster	100 A	EasyPACK™ 1B	PressFIT SiC Schottky diode TIM	48 mm	33.8 mm
F4-75R07W2H3_B51	650 V	Fourpack	75 A	EasyPACK™ 2B	PressFIT SiC Schottky diode	56.7 mm	48 mm
FS3L30R07W2H3F_B11	650 V	3-level	30 A	EasyPACK™ 2B	PressFIT SiC Schottky diode Full-bridge	56.7 mm	48 mm
DF80R12W2H3F_B11	1200 V	Booster	80 A	EasyPACK™ 2B	PressFIT SiC Schottky diode	56.7 mm	48 mm
F4-3L50R07W2H3F_B11	650 V	Fourpack	50 A	EasyPACK™ 2B		56.7 mm	48 mm
FS3L50R07W2H3F_B11	650 V	3-level	50 A	EasyPACK™ 2B	PressFIT SiC Schottky diode Full-bridge	56.7 mm	48 mm
DF80R07W1H5FP_B11	650 V	Booster	100 A	EasyPACK™ 1B	SiC Schottky diode PressFIT TIM	48 mm	33.8 mm
DF200R12W1H3F_B11	1200 V	Booster	200 A	EasyPACK™ 1B	PressFIT SiC Schottky diode	48 mm	33.8 mm
DF75R12W1H4F_B11	1200 V	Booster	75 A	EasyPACK™ 1B	PressFIT SiC Schottky diode	48 mm	33.8 mm