Транзистори MOSFET на основі карбіду кремнія CoolSiC від Infineon

Грунтуючись на великому досвіді та власних розробках, компанія Infineon представляє революційну технологію CoolSiC MOSFET, яка дозволяє створювати принципово нові пристрої. CoolSiC™ MOSFET це перші продукти в класі 1200 В для застосування в інверторах для сонячної енергетики, заряджання батарей та зберігання енергії. CoolSiC™ MOSFET забезпечує приголомшливу продуктивність, надійність і легкість використання розробниками для створення гнучких систем.

Параметричний пошук та Data Sheets на сайті Infineon

Назва

 Напруга Конфігурація Технологія Тип корпусу Довжина Ширина
FF6MR12W2M1_B11 1200 V Dual M1 Easy 2B 62.8 mm 48 mm
FF8MR12W2M1_B11 1200 V Dual M1 Easy 2B 62.8 mm 48 mm
FF11MR12W1M1_B11 1200 V Dual M1 Easy 1B 62.8 mm 33.8 mm
F3L11MR12W2M1_B65 1200 V 3-Level M1 Easy 2B 62.8 mm 48 mm
DF11MR12W1M1_B11 1200 V Booster M1 Easy 1B 62.8 mm 33.8 mm
F3L15MR12W2M1_B69 1200 V 3-Level M1 Easy 2B 62.8 mm 48 mm
F4-23MR12W1M1_B11 1200 V Fourpack M1 Easy 1B 62.8 mm 33.8 mm
DF23MR12W1M1_B11 1200 V Booster M1 Easy 1B 62.8 mm 33.8 mm
FF23MR12W1M1P_B11 1200 V Dual M1 Easy 1B 62.8 mm 33.8 mm
FF23MR12W1M1_B11 1200 V Dual M1 Easy 1B 62.8 mm 33.8 mm
IMW120R030M1H 1200 V Single M1H TO247-3    
IMZ120R030M1H 1200 V Single M1H TO247-4    
FF45MR12W1M1_B11 1200 V Dual M1 Easy 1B 62.8 mm 33.8 mm
IMZ120R045M1 1200 V Single M1 TO247-4    
IMW120R045M1 1200 V Single M1 TO247-3    
FS45MR12W1M1_B11 1200 V SixPACK M1 Easy 1B 62.8 mm 33.8 mm
IMZ120R060M1H 1200 V Single M1H TO247-4    
IMW120R060M1H 1200 V Single M1H TO247-3    
IMW120R090M1H 1200 V Single M1H TO247-3    
IMZ120R090M1H 1200 V Single M1H TO247-4    
IMZ120R140M1H 1200 V Single M1H TO247-4    
IMW120R140M1H 1200 V Single M1H TO247-3    
IMZ120R220M1H 1200 V Single M1H TO247-4    
IMW120R220M1H 1200 V Single M1H TO247-3    
IMW120R350M1H 1200 V Single M1H TO247-3    
IMZ120R350M1H 1200 V Single M1H TO247-4