Транзистори Infineon MOSFET 950 V CoolMOS PFD7

Data Sheet

CoolMOS PFD7 -  це сімейство 950-вольтових MOSFET від Infineon, які можуть досягати 450 мОм Rds(on) у DPAK або 60 мОм у TO247. Порогова напруга затвор-витік становить 3±0,5 В.

«Низька порогова напруга та допуски відхилення роботи в лінійному режимі дозволяють знизити напругу керування та зменшити втрати на холостому ході» - повідомляє компанія Infineon. «Завдяки вбудованому швидкодіючому діоду з низьким зарядом зворотного відновлення вони забезпечують жорстку комутаційну стійкість і надійність». Крім того, інженери Infineon гарантують, що заряд затвора CoolMOS PFD7 на 60% кращий, ніж у попереднього сімейства MOSFET 900V C3, що сприяє зниженню температури MOSFET на 4°C і покращенню ефективності PFC на 0,2% при відповідності ефективності LLC.

Ця нова серія високовольтних транзисторів CoolMOS PFD7 встановлює новий стандарт у технологіях суперпереходів (SJ) 950 В, сформованих більш ніж 20-річним досвідом компанії Infineon у інноваційних технологіях суперпереходів. Ця серія поєднує в собі найкращу в своєму класі продуктивність із найсучаснішою простотою використання та оснащена вбудованим швидкісним корпусним діодом, який забезпечує надійність пристрою та, у свою чергу, зменшує витрату матеріалів (BOM) для замовника.

Це сімейство продуктів розроблено для надвисокої щільності потужності, а також для найвищої ефективності. Продукти в основному призначені для споживачів і промислових SMPS для топологій PFC і LLC/LCC. 950 В CoolMOS PFD7 забезпечує 60% покращений Qg порівняно з CoolMOS™ C3, що призводить до зменшення втрат при керуванні та покращеної ефективності світла та повного навантаження в додатках.

Характеристики: